我司欲研发关于SiC-MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片，要求此类芯片实现高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性，开关损耗降低90%，并实现周边元器件的小型化。

       望有研发能力的单位或者专家能给予技术帮助。