我公司的技术问题:

    1、消除高反压肖特基芯片反向击穿曲线存在移动问题：高压肖特基芯片在测试过程存在击穿曲线向高压方向移动，或者说击穿曲线不够稳定的问题。希望击穿曲线保持稳定不动。 

    2、用于高压肖特基器件制备的4H-SiC衬底及外延：用于制备600V，1200V高压肖特基二极管需要的4H-SiC衬底和外延。其中4H-SiC衬底尺寸为4寸或者6寸，厚度350um，晶向为<0001>，N型掺杂，电阻率小于0.01Ohm-cm，微管缺陷密度小于10 cm-2；同时具备N型掺杂和P型掺杂外延能力，掺杂浓度1E15 cm-3 至1E17 cm-3。 

解决技术难题或引进技术产品大致预算 200 万元